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更新時間:2026-06-17
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半導體晶圓在經過研磨、拋光、清洗等多道工序后,表面看似完的美的無瑕,實則潛藏著各類微觀缺陷。這些缺陷主要分為兩類:一類是幾何形貌的改變,如劃痕(Scratches)、拋光不均(Polishing irregularities)和滑移線(Slips);另一類是表面狀態的改變,如霧狀缺陷(Haze)和異物(Foreign matter)。這些缺陷的尺寸往往處于微米甚至亞微米級別,在普通漫反射光或低照度環境下,人眼或基礎視覺系統很難捕捉到足夠的對比度信息。
該設備的照度高達400,000 Lx以上,這一數值是正午日光的四倍以上。這種極的端的亮度并非單純為了“看得更亮",而是為了產生強烈的定向光束。當這束高強度光線以特定角度照射到晶圓表面時,會發生以下兩種關鍵的光學現象:
鏡面反射與漫反射的分離:完的美的晶圓表面如同鏡面,光線會按照入射角等于反射角的規律進行定向反射。然而,一旦表面存在劃痕或凹凸不平,光線就會發生漫反射或散射。在YP-250IL的強光照射下,這種散射光的強度被極大地放大,使得觀察者能夠在原本“全反射"的背景中,清晰地看到那些因為散射而變亮的劃痕軌跡。
丁達爾效應與微粒顯影:對于霧狀缺陷(Haze)和微小的異物,它們通常由微小的顆粒或殘留物組成。在超高亮度的定向光照射下,這些微粒會對光線產生明顯的米氏散射。這種散射光在黑暗背景的襯托下會形成一個個微小的光點,從而將原本透明或低對比度的污染物清晰地勾勒出來。
除了光學原理的優的越的性,YP-250IL在工程設計上也充分考慮了半導體檢測的特殊需求。其40mmφ的照射直徑和220mm的照射距離,為工業集成和操作留出了充足的空間,確保了光斑的均勻覆蓋。
更重要的是,該設備采用了LED光源技術,徹的底的改變了傳統檢測的維護模式。相比傳統鹵素燈僅30至50小時的壽命,YP-250IL的LED光源壽命長達10,000小時。這意味著設備可以長時間保持穩定的光輸出,避免了因燈泡老化導致的亮度衰減,從而確保了檢測結果的一致性和可靠性。同時,其專用電源LPS-250支持電流調節,允許操作人員根據不同的檢測對象靈活調整光強,進一步優化了缺陷的顯影效果。
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