半導體晶圓背面圖案觀察難？試試清和光學SIS-150近紅外鹵素光源

更新時間：2026-08-08

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在半導體制造與檢測領域，對硅晶圓（Siウェハ）進行內部檢查或背面圖案觀察是一項極的具的挑戰性的任務。由于硅材料對可見光不透明，傳統的光源難以穿透晶圓，導致無法實現有效的非破壞性檢測。

清和光學製作所（Seiwa Optical）推出的近紅外鹵素光源（SIS-150系列），正是為解決這一難題而生的專業光纖光源裝置。

半導體晶圓背面圖案觀察難？試試清和光學SIS-150近紅外鹵素光源.png

近紅外光：穿透硅晶圓的“鑰匙"

SIS-150系列的核心優勢在于其發射的光譜在近紅外區域有顯著峰值。近紅外光具備較強的穿透能力，可以輕松穿過硅晶圓。當配合專用的光學系統和對近紅外波段敏感的相機使用時，檢測人員便能清晰地觀察到晶圓的內部結構或背面的電路圖案，從而實現精準的非破壞性檢測。

SIS-150系列：兩種型號，精準匹配不同需求

為了滿足不同波長范圍的檢測需求，SIS-150系列提供了兩種型號：

SIS-150-NIR

照射波長范圍：400 ~ 1100 nm
峰值波長：800 nm
適用于常規的近紅外檢測應用。

SIS-150-AIR

照射波長范圍：400 ~ 1700 nm
峰值波長：1000 nm
覆蓋更寬的波長范圍，適用于需要更長波長進行檢測的復雜場景。請注意，此型號需搭配專用耐熱光導使用。

高度可控，靈活集成

SIS-150系列不僅在性能上表現出色，在控制方面也提供了極大的靈活性，便于集成到各種自動化檢測系統中：

精細調光：支持0.1%至100%的寬范圍光量調節，可通過模擬電壓（DC 0-5V）進行精確控制。
遠程控制：具備遠程開關（ON/OFF）功能，方便系統集中控制。
豐富配件：可選配波長選擇帶通濾波器、機械快門以及支持多種信號（模擬/數字/串行）的256級數字調光板，以滿足更專業的檢測需求。

產品規格一覽

型號	照射波長范圍	峰值波長
SIS-150-NIR	400 ~ 1100 nm	800 nm
SIS-150-AIR	400 ~ 1700 nm	1000 nm

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